10.3321/j.issn:0379-4148.2005.02.013
多孔硅薄层的正电子湮灭寿命研究
用阳极氧化法按不同腐蚀条件制备的多孔硅,其薄层厚度仅为几十纳米,远小于22Na源的正电子平均射程.文章提出了一种用22Na 的正电子测量体寿命谱并扣除基片贡献的方法,来确定多孔硅薄层的平均孔径.
正电子湮没、多孔硅、正电子素、阳极氧化法
34
O4(物理学)
国家自然科学基金19835050
2005-04-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
147-150
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10.3321/j.issn:0379-4148.2005.02.013
正电子湮没、多孔硅、正电子素、阳极氧化法
34
O4(物理学)
国家自然科学基金19835050
2005-04-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
147-150
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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