自旋转向相变中的条纹磁畴研究

摘要：

用光激发电子显微镜研究了Fe/Ni铁磁膜和Co/Cu/Fe/Ni磁耦合膜中的条纹磁畴. 实验发现:在Fe/Ni体系中,条纹磁畴宽度随着铁层厚度趋近于自旋转向相变点呈指数下降;在Co/Cu/Fe/Ni体系中,Fe/Ni层中的条纹磁畴会沿着钴层磁矩的方向排列,其磁畴宽度会随着Co-Fe/Ni间的层间耦合强度呈指数下降. 理论上推导出条纹磁畴随着磁各向异性能和层间耦合强度变化的统一公式,而实验结果与理论符合得非常好.

关键词：光激发电子显微镜、条纹磁畴、自旋转向相变、层间耦合

所属期刊栏目：34

分类号：TN2;O73

在线出版日期：2005-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：104-108