单壁碳纳米管单原子空位缺陷的紧束缚理论研究

摘要：

文章在紧束缚势模型基础上系统地研究了非手性单壁碳纳米管上单原子空位缺陷结构和电子结构性质.计算表明,单原子空位缺陷会自发地形成5-1DB型缺陷, 且该缺陷的局域结构和形成能强烈地依赖于碳纳米管的尺寸、旋度和电学性质.同时作者发现这类缺陷在费米能级以上约0.2eV处产生局域的电子态.

关键词：碳纳米管、单空位缺陷、紧束缚势模型

所属期刊栏目：33

分类号：O4 ;TN2

资助基金：国家自然科学基金50121202;中国科技大学校科研和教改项目

在线出版日期：2005-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：878-881