高质量宽带隙立方氮化硼薄膜的研究进展

摘要：

文章着重介绍了最近研制出的高质量宽带隙立方氮化硼薄膜的三种制备方法和结构特性:(1)用射频溅射法在Si衬底上制备出立方相含量在90%以上,Eg＞6.0eV的c-BN薄膜;(2)用离子束辅助的化学气相沉积法(CVD),在金刚石上外延生长出立方含量达100%的单晶c-BN薄膜;(3)用微波电子回旋共振CVD法(MW-ECR-CVD)在金刚石上外延生长出高纯c-BN薄膜.这些高纯c-BN薄膜,可应用于制作各种半导体(主要是高温、高频大功率)电子器件.

关键词：c-BN薄膜、外延生长

所属期刊栏目：33

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60376007

在线出版日期：2005-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：823-825