10.3321/j.issn:0379-4148.2004.10.011
掺杂半导体扫描电镜二次电子像
综述了用扫描电镜的二次电子像获得掺杂半导体衬度剖析的方法.实验发现掺杂半导体扫描电镜像对杂质浓度的灵敏度可以达到1016cm-3,且空间分辨率高达nm量级,是最有可能发展成为下一代掺杂剖析成像的主流技术.文中还探讨了半导体掺杂衬度的可能的机理,详细介绍了两种主要机理:表面能带弯曲和样品外局域电场的出现.
掺杂衬度、SEM、半导体
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O4(物理学)
国家自然科学基金60306006,10025420,90206009
2004-12-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
765-770