10.3321/j.issn:0379-4148.2004.10.001
碳纳米管场致电子发射新机制
基于对长达1μm的(5,5)碳纳米管的量子力学计算,作者发现使碳纳米管具有优异场致电子发射特性的因素除了人们预期的尖端场增强之外,电荷在纳米管尖端的积累造成有效功函数(真空势垒)的非线性下降也起了非常重要的作用.对外加电场Vappl=10-14V/μm下的碳纳米管进行了计算,得到与实验结果相近的发射电流.
碳纳米管、场致发射
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O4(物理学)
国家自然科学基金90103028;教育部、高教局、广东省科技局和香港科技局RGC联合资助项目
2004-12-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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705-707