10.3321/j.issn:0379-4148.2004.09.001
高迁移率二维电子系统中微波辐射引起的磁阻振荡和零电阻
一年以前,人们惊奇地发现:在相当弱的磁场中,并不太强的微波辐照就可以使二维半导体的磁阻产生强烈的振荡,振幅的最大值可超过无辐照磁阻值的十几倍,最小值可以一直降到零.全世界众多的凝聚态物理学家争相聚焦到这个领域,进行了许多实验和理论研究,企图弄清这一意外发现的机理.经过一年多的努力,人们已经掌握了这个现象更多的细节,对其物理机制也有了初步了解.但深入的实验和理论探索可能还要继续相当一段时间.文章将对这个物理现象及相关的理论模型,尤其是目前得到较多赞同的光子辅助磁输运模型,作一简单的介绍.
二维半导体、磁阻振荡、零电阻态、光子辅助散射
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O4(物理学)
国家自然科学基金10390162,90103027
2004-12-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
623-628