GeSbTe 与 AgInSbTe 体系相变光盘的研究进展

摘要：

自Ovshinsky把相变材料用于光存储以来,一大批具有可逆光存储性能的材料不断出现,其中研究较多的是GeSbTe 和AgInSbTe两种体系.文章着重介绍了利用这两种材料制成的相变光盘记录介质的微观结构特点,阐述了其晶化机理;同时,较详细地概述了光盘的堆栈结构及掺杂其他元素对相变光盘性能的影响,并对比说明了GeSbTe 和AgInSbTe两种体系在蓝光记录方面的各自特点.

关键词：相变、光盘、光存储、高密度存储、蓝光

所属期刊栏目：33

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60207005;上海市青年科技启明星计划03QG14057

在线出版日期：2004-06-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：345-350