a-Si:H薄膜及MWECR-CVD制备技术

摘要：

文章回顾了a-Si:H薄膜的发展历程,并介绍了其近10年的研究状况.为提高a-Si:H薄膜的沉积速度,还重点介绍了一种新的微波电子回旋共振等离子体CVD(MWECR-CVD)技术.该技术的特点是:不含电极,可避免电极溅射造成的污染;等离子区离子密度高,对硅烷能高度分解,从而可显著提高薄膜生长速率;改变磁场位形和结构,可改变等离子体分布及轰击基片离子的能量.文章还分析了其制备a-Si:H薄膜存在的问题,提出了今后的研究方向.

关键词：a-Si:H薄膜、等离子体增强CVD、微波电子回旋共振等离子体CVD

所属期刊栏目：33

分类号：O6(化学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G000028201

在线出版日期：2004-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：272-277