10.3321/j.issn:0379-4148.2004.01.008
钛酸锶钡材料应用于超高密度动态随机存储器的研究
铁电钛酸锶钡材料具有十分优越的介电性能:高的介电常数,较低的介电损耗,好的绝缘漏电性能;而且,通过调节材料中的Ba/Sr成分比,可改变材料的居里相变温度TC,以满足特定应用环境的温度需要,在超高密度集成的动态随机存储器(DRAM)方面表现出广阔的应用前景.文章概括介绍了BaxSr1-xTiO3薄膜材料在DRAM应用中已取得的最新研究进展,并对这一应用所面临的问题也进行了详细讨论.
铁电/介电薄膜、钛酸锶钡、动态随机存储器
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TN3(半导体技术)
国家自然科学基金59832050,10174093;国家重点基础研究发展计划973计划19990646
2004-03-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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