支撑光网络发展的硅基光电子技术研究

摘要：

作为大规模集成电路和化合物半导体光电子器件的制造技术共同构成的一门高新技术,硅基光电子技术越来越受到重视.文章着重介绍中国科学院半导体研究所外延生长SiGe/Si量子结构和Si基器件研究的结果:采用自行设计的UHV/CVD系统,成功地生长出Ⅱ型SiGe/Si量子阱和量子点,直到250K仍能观察到自组织生长Ge/Si(001)量子点的发光峰;研制成功SiGe/Si谐振腔增强型光电二极管(RCE PD)、Y分支MZI光调制器和多模干涉-马赫-曾德干涉型光开关等Si基光电子器件;1.3μm处RCE PD的量子效率达到4.2%,-5V偏压下暗电流密度12pA/μm2;2×2热光型光开关的响应时间小于20μs,两输出端关态串扰为-22dB,通态串扰为-12dB.

关键词：光电子集成、SiGe/Si、光电探测器、耦合器、光开关、全光网

所属期刊栏目：32

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69896260,69990540;国家重点基础研究发展计划973计划G2000-03-66;国家高技术研究发展计划863计划2002AA312060

在线出版日期：2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：810-815