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10.3321/j.issn:0379-4148.2003.12.002

纳米级自旋电子学材料取得重要进展

引用
因为纳米级的自旋电子学器件需要在纳米尺度上仍能在较高温度下保持优异性能的高自旋极化率材料,故与半导体相容的半金属铁磁体近来受到高度重视.文章介绍作者在这个方向上研究工作的最新重要进展:通过大规模系统的高精度第一原理计算,作者发现三个3d过渡金属硫系化合物的闪锌矿相具有优异的半金属铁磁性,并且其结构性能适合做成具有足够厚度的薄膜或层状材料,便于应用于纳米级自旋电子学器件.

纳米材料、自旋电子学

32

TB383(工程材料学)

国家重点基础研究发展计划973计划G1999064509;国家自然科学基金60021403;中国科学院国际合作项目

2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

780-782

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物理

0379-4148

11-1957/O4

32

2003,32(12)

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