硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物材料的研究现状

摘要：

随着科学技术的进步和集成电路市场日益扩大的需求,硅基集成电路的集成度越来越高,而集成度的提高是以其核心器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸逐渐减小为基础的.当栅极SiO2介电层的厚度减小到原子尺度大小时,由于量子效应的影响,SiO2将失去介电特性,因此必须寻找一种新的高介电常数(high-K)的氧化物材料来代替它.如今世界上许多国家都开展了替代SiO2的介电氧化物材料的研究工作.文章介绍了栅极介电层厚度减小带来的影响,栅极SiO2介电层的高K氧化物材料的要求和粗选,并对近期高介电常数氧化物材料的研究状况作了简要的介绍和评述.

关键词：硅基集成电路、高介电常数氧化物材料、栅极介电层

所属期刊栏目：32

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：中国科学院知识创新工程项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：228-234