ZnO薄膜的掺杂及其结型材料的研究进展

摘要：

ZnO薄膜作为一种多用途的半导体材料,一直受到国内外学术界的广泛关注.尤其是自1997年发现ZnO薄膜的室温紫外光发射以来,ZnO薄膜的制备及其光电子特性的研究成为新的研究热点.几年来,研究进展非常迅速,已报道了结型电致发光器件和光电探测器件的初步研究结果.文章结合作者的工作,综述了目前国内外对ZnO薄膜的掺杂以及ZnO异质结和同质p-n结制备方面的研究状况.

关键词：氧化锌薄膜、p型掺杂、p-n结、异质结

所属期刊栏目：32

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金10174072,50142016;国家重点基础研究发展计划973计划[2001]584

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：27-31