10.3321/j.issn:0379-4148.2002.05.010
一种基于能带工程设计的CaAsSb/InP异质结双极晶体三极管
异质结晶体三极管(HBT)的性能与其材料体系密不可分,利用能带工程可以大大优化器件的结构,提高器件性能.文章从分析HBT的能带结构及设计要求入手,介绍了一种利用能带工程设计的基于GaAsSb/InP材料体系的新型HBT器件的结构及其性能,分析了该器件与其他材料体系器件相比所具有的优异特性,说明了对HBT的各区材料,其带边的相对位置所起的重要作用.最后,文章还报道了近期的实验情况,说明了GaAsSb/InP体系HBT的实际性能与理论预言一致.
异质结晶体三极管、能带工程、GaAsSb/InP
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O4(物理学)
国家自然科学基金60025409
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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306-309