一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展

摘要：

SOI(silicon on insulator,绝缘层上的硅)技术和SiGe(silicon germanium,锗硅)技术都是微电子领域的前沿技术.SiGe-OI(SiGe-on-insulator,绝缘层上的锗硅)新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料,它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势,因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一.文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作,综述了SiGe-OI材料研究情况和应用前景,详细介绍了其主要的制备方法,最后报道了作者在SiGe-OI材料研究上的一些实验结果.

关键词：绝缘层上的硅、锗硅、绝缘层上的锗硅

所属期刊栏目：31

分类号：TB3(工程材料学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G20000365;国家自然科学基金69906005;上海市青年科技启明星计划01QMH1403

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：219-223