10.3321/j.issn:0379-4148.2002.01.004
超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ⅱ)——尺寸缩小带来的巨大挑战
随着CMOS技术缩至100nm或更小,在CMOS器件结构、接触电阻以及大直径硅晶片等方面均遇到一些材料物理的巨大挑战.
超大规模集成电路、接触电阻、自对准硅化物工艺、大直径硅晶片
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O4(物理学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
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10.3321/j.issn:0379-4148.2002.01.004
超大规模集成电路、接触电阻、自对准硅化物工艺、大直径硅晶片
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O4(物理学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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