10.3321/j.issn:0379-4148.2001.12.002
新型半导体激光器--ZnO紫外激光器
最近人们发现在室温下ZnO薄膜能产生强烈的光受激辐射,这表明此种材料可用于制造紫外光半导体激光器,此种激光器在光信息存贮上有广泛应用.文章介绍了最近几年来用不同方法制备的ZnO薄膜的光受激辐射的研究进展.
ZnO薄膜、紫外激光器
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TN24(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金60076006;高等学校博士学科点专项科研项目
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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