惯性约束聚变实验用平面薄膜的制备及其表面图形的引入

摘要：

平面薄膜是ICF分解实验的重要靶型.以半导体技术结合重掺杂自截止腐蚀制备厚度为3-4μm的Si平面薄膜,以热蒸发结合脱膜工艺制备AI平面薄膜,两者的表面粗糙度分别为30nm和10nm左右;进一步采用离子束刻蚀在平面薄膜的表面引入网格或条状图形,获得测量成像系统像传递函数的刻蚀膜,控制离子束刻蚀工艺的参数以实现图形的精确转移.

关键词：平面薄膜、自截止腐蚀、热蒸发、离子束刻蚀

所属期刊栏目：30

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：707-711