10.3321/j.issn:0379-4148.2001.08.001
超高密度信息存储/分子存储及其存储机理*
在有机功能纳米薄膜上通过扫描隧道显微技术实现了超高密度的信息存储,存储点的大小在1.3nm左右,存储点间距为1.5nm,相应的存储密度为10bits/cm2.实验与理论计算的结果表明,其存储机理是薄膜的导电性质的变化.
超高密度信息存储、分子存储、有机功能材料、扫描探针显微术
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TB3(工程材料学)
国家自然科学基金69890223
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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