半导体量子器件物理讲座第四讲共振隧穿器件及其电路应用

摘要：

当一个电子的能量低于势垒高度时,它仍可以隧穿通过势垒.在一定条件下,双势垒结构中电子的隧穿几率甚至可以接近1.利用这种共振隧穿现象可以做成共振隧穿二极管,它的电流-电压特性曲线中会出现负微分电阻.利用这种负阻效应可以做成高频振荡器和倍频器等电子器件.双势垒结构与通常的双极晶体管结合可以做成共振隧穿双极晶体管,它们可以用来做成多态记忆器和模数转换器等器件.

关键词：共振隧穿、共振隧穿二极管、共振隧穿双极晶体管

所属期刊栏目：30

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：436-440