10.3321/j.issn:0379-4148.2001.04.008
半导体量子器件物理讲座
文章从异质界面的三角势阱中二维电子气的形成人手,计算了二维电子气的量子化能级及其面电子密度.对HEMT器件材料结构参数的优化、器件的电荷控制模型及I-V特性作了分析.
二维电子气、高电子迁移率晶体管、势阱
30
O4(物理学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
223-229
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10.3321/j.issn:0379-4148.2001.04.008
二维电子气、高电子迁移率晶体管、势阱
30
O4(物理学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
223-229
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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