锗硅表面结构和动态过程的STM研究

摘要：

尽管作为微电子工业的基础，硅和锗的表面和界 面几十年来一直是研究的热点，但和纳米技术等不断提出的问题相比，对它们的了解仍很不 够.为此，最近我们用扫描隧道显微镜和低能电子衍射方法，对锗硅表面的稳定性、宏观小 面化、纳米小面化、小面化的规律、稳定表面的比自由能、表面原子结构以及表面和亚表面 原子的动态过程进行了大量的系统的研究.文章综述已取得的研究结果.这些结果除具有重 要的基础意义外，对半导体异质外延生长衬底选择，以及量子线和量子点自组织生长模板的 选择都会有帮助.

关键词：扫描隧道显微镜(STM)、锗、硅、高指数表面、表面结构、表面 动态过程

所属期刊栏目：29

分类号：O6(化学)

资助基金：国家自然科学基金;高等学校博士学科点专项科研项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：649-656