10.3321/j.issn:0379-4148.2000.05.005
宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题
介绍了以金刚石为代表的宽带隙薄膜材料场电子发射研究背景和现状,对金刚石、类金刚石(DLC)、立方氮化硼(c-BN)、氮化铝(AlN)和碳化硅(SiC)薄膜场电子发射研究的进展进行了评述,着重介绍了发射性能与薄膜的结构特征、杂质含量和处理方法间的关系,并讨论了研究中存在的问题.
场电子发射、宽度隙薄膜材料
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O4(物理学)
中国科学院资助项目;北京市自然科学基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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278-282