10.15913/j.cnki.kjycx.2021.19.026
低温溅射硫化铜薄膜正极及其储锂性能研究
采用射频磁控溅射方法低温制备硫化铜薄膜正极,研究了硫化铜薄膜作为锂离子电池正极的储锂性能.结果表明,硫化铜薄膜正极具有较高的放电面积比容量,在10μA/cm2的电流密度下,第二次放电面积比容量为71.5 uAh/cm2,循环50次后,电极的放电面积比容量仍有37.5μAh/cm2,所以该低温溅射的硫化铜薄膜正极具有集成于集成电路的潜力.
射频磁控溅射;硫化铜薄膜;全固态薄膜锂电池;正极
TM912.9
2021-11-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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