基于LED器件的纳米粗化ITO薄膜研究

摘要：

采用磁控溅射和离子辅助沉积等方式制作多种ITO薄膜.结果发现LED器件电压主要受底部膜层沉积方式和第二段退火条件的影响.另外,膜层的最终表面对光萃取有显著影响,结合离子辅助蒸镀技术,可获得更优光萃效果的纳米粗化表面,其中溅射200?厚度搭配蒸镀100?厚度的ITO复合膜系,经二次退火后具有最佳特性.

关键词：LED器件、纳米粗化ITO薄膜、镀膜方式、ITO薄膜性能

分类号：TN312.8(半导体技术)

在线出版日期：2021-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：38-39