影响IGBT动态特性参数浅析

摘要：

IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型晶体管是一种大功率半导体电压型全控型器件,是能源变换与传输的核心器件,又称电力电子装置的"CPU",在电力领域有着极为广泛的应用.主要对影响IGBT开关特性的几项关键驱动参数进行剖析,进而知晓不同参数调整对IGBT开关特性的影响趋势,以便在IGBT实际应用设计中,兼顾考虑各参数值的设定,以满足不同工况下不同类型的IGBT可靠、稳定的应用需求.

关键词：IGBT、开关特性、CPU、驱动参数

分类号：TN322+.8(半导体技术)

在线出版日期：2018-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：89-90