一种具有高电源抑制比的带隙基准电路

摘要：

本文提出了一种可用于具有动态自供电功能的AC/DC开关电源中的高电源抑制比带隙基准电路.设计中,采用反馈的思想,用高增益二级运算放器作为误差放大器,成功的抑制了电源电压变化的影响.使用Cadence下的Spectre仿真器,在XFab标准1.0uM BiCMOS工艺下对电路进行了仿真.电源电压从9.8V到11.4V的变化过程中,带隙基准的输出电压变化不到0.1mV.在提高电源抑制比的同时,本电路也获得了令人满意的温度特性.

关键词：带隙基准、电源抑制比、动态自供电

所属期刊栏目：25

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：基金申请人:程东方;项目名称:基于CMOS兼容的超高压工艺相关的虚拟Fab的新工艺研究;基金颁发部门:上海市科委07SA03

在线出版日期：2009-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：270-271