10.3969/j.issn.1008-0570.2008.35.121
一种采用Bi-CMOS缓冲器的LDO电路设计
在分析传统LDO稳压器稳定性的基础上,提出一种新式电路结构.经HJTC 0.18umBi-CMOS工艺仿真验证,结果表明该电路显著提高LDO的频率稳定性,增益达到100dB左右,在负载电流从0-50mA变化时,输出电压变化为0.037V,最大负载电流为50mA时的电流效率为99.97%.
稳压器、密勒补偿、缓冲器、反馈网络
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
安徽省优秀青年科技基金资助项目资助领域为信息科学06042086安徽省科技厅颁发
2009-03-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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