高增益低功耗CMOS低噪声放大器的设计

摘要：

本文基于TSMC 0.35μm CMOS工艺,设计了一种工作于2.4 GHz频率下的、高增益、低功耗的低噪声放大器.并在ADS的平台下进行了参数的优化与仿真.其仿真结果表明,该低噪声放大器的最大增益约为16 dB,并且波动范围小于0.3dB;噪声系数约为0.8 dB,IIP3为+1.6 dBm:在1.5 V电源电压供电条件下,电路直流功耗为8 mW.因此,该电路实现了高增益、低功耗的功能.满足实际应用的要求.

关键词：低噪声放大器、CMOS、低功耗

所属期刊栏目：24

分类号：TN722.3(基本电子电路)

资助基金：湖南省自然科学基金计划资助05JJ40095;颁发部门:湖南省自然科学基金委员会;基金资助:湖南省自然科学基金资助项目05JJ40095

在线出版日期：2009-02-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：284-285,292