厚栅n-和n-LDMOSFET高压输出电路

摘要：

对于PDP(plasma display panels)驱动集成电路,为了减小芯片面积和提高开关速度而提出了一种厚栅LDMOSFET(lateral double diffused MOSFETs)这种新颖的高压输出电路.同常规的电路相比,在同样的下降时间下,利用所提出的输出电路,PDP驱动集成电路的芯片面积减少了35%;在同样的芯片面积下,当电源电压为180V,负载电容为100pF时,所提出的输出电路的下降时间比常规的的电路要快2.5倍.

关键词：n-LDMOSFET、PDP、高压输出电路、驱动能力、下降时间厚栅

所属期刊栏目：24

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：江苏省自然科学基金BK2007026系统集成芯片SOC中IIP模块的设计与验证方法研究,南阳师范学院高层次人才科研启动费资助

在线出版日期：2009-02-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：301-302