高压LDMOS功率器件的研究

摘要：

提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构,采用Double RESURF技术和场板技术,耐压可达700伏.本文借助二维器件模拟软件MEDICI,分析了器件的参数对击穿电压和导通电阻的影响,从而实现了器件的高耐压和低导通电阻的要求.

关键词：高压器件、LDMOS、RESURF技术、MEDICI、导通电阻

所属期刊栏目：24

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-10-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：237-238,259