Flash存储器的内建自测试设计

摘要：

内建自测试是一种有效的测试存储器的方法.分析了NOR型flash存储器的故障模型和测试存储器的测试算法,在此基础上,设计了flash存储器的内建自测试控制器.控制器采用了一种23位的指令,并且通过JATG接口来控制,结果通过扫描链输出.验证结果表明,设计的内建自测试结构对固定故障、转换故障、桥接故障、耦合故障、栅极干扰、漏极干扰、过渡擦除和读干扰均有100%的故障覆盖率.

关键词：flash存储器、故障模型、内建自测试

所属期刊栏目：24

分类号：TP333.8(计算技术、计算机技术)

资助基金：广西自然科学基金0542050

在线出版日期：2008-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：296-297,283