10.3969/j.issn.1008-0570.2007.29.116
一种SET/CMOS混合器件模型的建立及特性分析
本文基于一种单电子晶体管数学模型(改进的MIB模型),实现其SPICE宏模型.提出一种改进型SET/CMOS混合器件模型,并用SPICE对其Ⅰ-Ⅴ特性进行了仿真验证,仿真结果证实了电流与电压具有线性关系.此混合模型的线性电流区可以在积分器以及滤波器电路中得到应用.
单电子晶体管、SET/CMOS、库伦阻塞效应、SPICE
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TN321(半导体技术)
陕西省自然科学基金2005F20;空军工程大学理学院科研项目2005ZK19
2007-12-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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283-284,106