MOSFET输出电容的非线性对振荡频率的影响
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1008-0570.2007.29.106

MOSFET输出电容的非线性对振荡频率的影响

引用
MOSFET的寄生参数会影响振荡器的性能指标.例如:漏极与源极之间的寄生电容(输出电容COSS)的存在会影响振荡器的频率.而且,COSS呈非线性特性.本文独具创新,以MOSFET的寄生电容作为振荡器的谐振电容.在这篇文章中,构造了包含非线性电容的电路等效模型,借助Matlab软件分析了非线性电容COSS对振荡频率的影响.分别获得了振荡频率随输出射频电压幅度变化和随直流电源电压变化的曲线.

输出电容、非线性、振荡频率

23

TN752.2(基本电子电路)

国家自然科学基金10275021

2007-12-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

258-259,230

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

微计算机信息

1008-0570

14-1128/TP

23

2007,23(29)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn