沉积氧气压力对纳米晶硅光致发光的影响

摘要：

用脉冲激光(Nd:YAG激光)沉积技术在硅基上沉积富硅SiO2薄膜(SiOx,x＜2),沉积时氧气压力分别为1.33,2.66,3.99,5.32,6.65,7.98Pa,膜的厚度约为300nm.随后,在氩(Ar)气中1000℃的温度下对沉积的SiOx薄膜进行热退火处理30min,使在SiO2薄膜中生长出硅纳米晶.用光谱分析仪分析其在室温下的光致发光(PL)光谱时发现,随着沉积氧气压力的增强,峰值波长在减小(即蓝移),表明纳米晶硅颗粒在减小;同时,在本研究中的制作条件下,PL强度与沉积氧气压力有较强的依存关系,在2.66-3.99Pa的氧气压力条件下沉积制作的试样,得到最大的PL强度.

关键词：纳米晶硅、光致发光、脉冲激光沉积

所属期刊栏目：23

分类号：TN304.1;TN383(半导体技术)

资助基金：教育部留学回国人员科研启动基金外司留2005546号

在线出版日期：2007-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：252-253