10.3969/j.issn.1008-0570.2007.26.118
基于TCAD的低压沟槽MOSEFT栅漏电荷的研究
对于低压功率沟槽MOSFET的开关性能,栅-漏电荷Qgd是一个重要的参数.本文利用数值模拟软件TCAD(器件与工艺计算机辅助设计),研究了氧化层厚度、沟道杂质分布、外延层杂质浓度及沟槽深度等参数对功率沟槽MOSFET的栅-漏电容Cgd的影响以及栅-漏电荷Qgd在开关过程中的变化,指出了在工艺设计上减小栅-漏电容Cgd,降低器件优值,提高开关性能的途径.
低压沟槽MOSFET、栅-漏电荷、模拟、器件与工艺计算机辅助设计
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TN386(半导体技术)
上海市教委资助项目05AZ79
2007-12-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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