一种低压低温漂的CMOS带隙基准源

摘要：

基于标准0.35umCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,与传统采用PTAT电压作为温度曲率校正电压相比,获得了一个电路结构简单,性能更好的带隙基准源.使用Hspice进行仿真,仿真结果表明电路可以在-20-100℃范围内,平均温度系数约2 ppm/℃,工作电压为1V左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源.该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中.

关键词：带隙基准源、曲率校正、温度系数、电源抑制比

所属期刊栏目：22

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：信息产业部电子科学院军事电子预研项目

在线出版日期：2007-01-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：304-306