10.3969/j.issn.1008-0570.2006.29.044
一种射频CMOS低噪声放大器的设计
应用TSMC 0.35um CMOS工艺模型,设计了可应用于无线通信系统的低噪声放大器(LNA),电路采用单端共源共栅结构,用SmartSpice对电路进行分析优化,仿真结果表明,噪声系数为1.65dB,增益高于20dB.
CMOS集成电路、低噪声放大器
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
军内科研项目
2006-11-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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117-119