10.3969/j.issn.1008-0570.2006.29.038
一种低压低功耗共源共栅带隙基准电压源的实现
提出了一种低压低功耗的带隙基准电压源电路,设计基于0.5μm 2P3M BiCMOS Process,并使用了低压共源共栅电流镜结构减少了对电源电压的依赖,消除了精度与余度之间的矛盾,并用HL50S-S3.1S.lib库文件用HSPICE进行了仿真,其电源抑制比PSRR大约为-78.9dB.
带隙基准、PTAT、低压共源共栅电流镜、BiCMOS
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TN431.1(微电子学、集成电路(IC))
国家自然科学基金60371017;四川省学术与技术带头人培养基金
2006-11-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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