集成电路电磁辐射与数据相关性研究

摘要：

为了减少集成电路密码芯片工作时的电磁信息泄漏,设计具有防护能力的加密芯片.在研究CM06集成电路电磁辐射原理的基础上,分析了电磁辐射产生数据相关性的机理.以电偶极子为模型,简化了电磁计算的方法,对基本的CMOS电路工作过程进行分析.采用TSMC 0.18工艺设计CMOS反相器,并对该反向器进行电磁辐射仿真.建立评估模型并对金属层电磁辐射的信息泄漏进行评估.结果表明,电路工作时NMOS金属层、PMOS金属层和输出线的金属层产生的电磁辐射均会导致信息泄漏,长度相等时,输出线金属层的电磁信息泄漏更强.

关键词：CMOS集成电路、金属层、电磁信息泄漏、数据相关性、电偶极子

所属期刊栏目：20

分类号：TP309(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家863计划项目2007AA012454

在线出版日期：2010-09-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：156-159