10.3969/j.issn.1673-629X.2008.07.011
基于ARM的引导加载技术的研究与实现
为了减小嵌人式系统的体积和价格,对嵌入式中两种主要的闪存:NOR Flash and NAND Flash进行了研究.由于NOR Flash存在布线多、成本高、存储容量小、擦写速度慢等缺点,根据嵌入式系统可裁减可移植的特点,在对ARM处理器的启动方式进行分析和比较的基础上,裁掉NOR Flash芯片,仅用NAND Flash芯片引导和启动系统.并着重阐述了采用有效的存储结构提供可靠的坏块管理机制,采用多级引导方式,实现基于NAND Flash的引导.从而节省NOR Flash芯片,降低了成本.
或非型闪存、与非型闪存、引导加载程序、坏块管理、多级引导
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TP333(计算技术、计算机技术)
广东省自然科学基金06021484
2008-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
35-37,41