NAND FLASH编程实现研究分析
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1673-629X.2008.03.033

NAND FLASH编程实现研究分析

引用
以阐明编程支持NAND FLASH的方法为目的.总览了NAND FLASH层次结构;讨论了NAND FLASH的写操作过程,这种写操作的特点也是FLASH有别于其它存储介质的地方,同时也对NAND FLASH的擦除操作做了介绍;在对整体的框架和特点有了了解之后,进一步对编程支持NAND FLASH的过程中会遇到的一些概念和细节给出了具体的说明.对NAND FLASH的编程支持有一定的复杂性,但只要了解了它的工作方式,也并非难事.

NAND FLASH、写操作、地址转换、ECC校验

18

TP311(计算技术、计算机技术)

2008-05-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

118-120,124

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

计算机技术与发展

1673-629X

61-1450/TP

18

2008,18(3)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn