TEM样品制备中离子束对样品的损伤分析

摘要：

针对TEM样品制备过程中离子束对样品的损伤所产生的"非晶化"影响进行分析和研究.在总结已有成果的基础上,得到一些新的突破:通过可信、简便的制样方法,可以直接观察到"非晶层";可以量测聚焦离子束制备的可供TEM分析的lC硅衬底样品的极限厚度.通过一系列自主设计的实验,得到如下结果:离子束的能量对"非晶层"厚度的影像非常大;"非晶层"的厚度与切割时离子束的加速电压有关,与离子束电流及入射角度等基本无关.

关键词：TEM样品制备、非晶化、聚焦离子柬

所属期刊栏目：18

分类号：TN405.98+5(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：223-225,229