10.3969/j.issn.1674-3644.2008.04.020
等离子体辅助化学气相沉积法生长ZnO薄膜的研究
讨论了在不同基板温度下用等离子体辅助化学气相沉积法生长ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)分析仪、反射式高能电子衍射(RHEED)仪及X射线光电子能谱(XPS)分析ZnO薄膜的特征.分析结果显示,在基板温度为300 ℃,二乙基锌(DEZ)流量为50 mL/min条件下可得到优取向高晶化的ZnO薄膜.光学性能分析表明,ZnO薄膜是透明的,在可视区峰值透光率高达85%.
ZnO、等离子体、化学气相沉积(CVD)
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TQ56;TQ560
国家自然科学基金项目E060408
2008-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
418-420