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10.3969/j.issn.1674-3644.2008.04.020

等离子体辅助化学气相沉积法生长ZnO薄膜的研究

引用
讨论了在不同基板温度下用等离子体辅助化学气相沉积法生长ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)分析仪、反射式高能电子衍射(RHEED)仪及X射线光电子能谱(XPS)分析ZnO薄膜的特征.分析结果显示,在基板温度为300 ℃,二乙基锌(DEZ)流量为50 mL/min条件下可得到优取向高晶化的ZnO薄膜.光学性能分析表明,ZnO薄膜是透明的,在可视区峰值透光率高达85%.

ZnO、等离子体、化学气相沉积(CVD)

31

TQ56;TQ560

国家自然科学基金项目E060408

2008-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

418-420

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武汉科技大学学报(自然科学版)

1672-3090

42-1608/N

31

2008,31(4)

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