锆酸钡掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的相结构及电学性能

摘要：

采用传统固相法制备了一系列锆酸钡掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷(0.97-x)K0.5Na0.5Nb0.965Sb0.035O3-0.03Bi0.5Na0.5Zr0.8Sn0.2O3-xBaZrO3(KNNS-BNZS-xBZ),系统地研究了 BaZrO3(BZ)对(K0.5Na0.5)NbO3(KNN)基无铅压电陶瓷相结构和电学性能的影响.研究结果表明,随着BZ的加入,陶瓷组分在室温下的相结构从正交-四方(O-T)相界转变为三方-四方(R-T)相界.当x=0.015时,陶瓷具有较为优异的电学性能,压电常数d33=454 pC/N,单轴应变Suni=0.138％,介电损耗tanδ=0.036,居里温度Tc=241℃.另外,还研究了该陶瓷组分的单轴应变温度稳定性,当测试温度在20～140℃之间时,Suni仍然保持在80.1％以上,表明该陶瓷组分的应变性能具有较好的温度稳定性,且优于部分典型的KNN或Pb(Zr,Ti)O3(PZT)基陶瓷的应变温度稳定性.

关键词：无铅压电陶瓷、铌酸钾钠、相界、电学性能

所属期刊栏目：68

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;湖北省高等学校优秀中青年科技创新团队项目;湖北省青年人才基金;湖北民族大学校内培育项目;湖北民族大学校内培育项目

在线出版日期：2022-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：195-202