二维As-SnS2垂直堆叠异质结的电子结构及光学性质

摘要：

基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了二维As-SnS2垂直堆叠异质结的几何结构、电子结构和光学性质.研究发现,AA堆叠和AB堆叠As-SnS2异质结分别为间接带隙(0.361 eV)和直接带隙(0.323 eV)的半导体,均具有Ⅱ型能带排列的特点,利于分离光生电子-空穴对,提高光能量的利用;施加张、压应变均能有效减小AA堆叠和AB堆叠As-SnS2异质结的带隙;异质结中As层表现为n型掺杂半导体,而SnS2层表现为p型掺杂半导体;AA(AB)堆叠As-SnS2异质结中,As层向SnS2层的电荷转移为0.018 e(0.023 e),As-SnS2异质结界面上电荷形成内建电场,加速分离光生载流子.此外,AA堆叠和AB堆叠As-SnS2异质结在可见光和紫外光范围内的吸收系数均非常高,可望作为紫外-可见光电子器件的候选材料.

关键词：As-SnS2异质结、Ⅱ型能带排列、光学性质、密度泛函理论

所属期刊栏目：68

分类号：O469;TM23(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金;湖北省高等学校优秀中青年科技创新团队项目;湖北民族大学校内培育项目;湖北省创新创业训练项目

在线出版日期：2022-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：163-170