基于金属有机框架的Cu-CuxO-C/rGO复合材料制备及其电容性能

摘要：

以Cu-MOF-199/氧化石墨烯(GO)为前驱体,经高温碳化得到一种铜氧化物均匀分布在碳骨架上的赝电容材料Cu-Cux O-C/rGO,采用热分析法、X射线衍射、扫描电子显微镜等对材料的结构和形貌进行分析,采用循环伏安和恒电流充放电等方法测试材料的电化学性能.未掺杂rGO的复合材料呈八面体构型,Cu和CuxO颗粒均匀分布在碳骨架上,随着rGO引入量的增加,其形态的不规则程度增大.rGO投料比例为10％、碳化温度为800℃时,材料的电容性能最佳,在电流密度为0.5 A·g-1时比电容达620 F·g-1,1A·g-1时达477 F· g-1,2A·g-1时仍有206 F·g-1.

关键词：铜氧化物、金属有机框架(MOFs)、石墨烯、赝电容、超级电容器

所属期刊栏目：64

分类号：O69;TM53(应用化学)

资助基金：国家自然科学基金51273155;国家级大学生创新创业训练项目201710497056

在线出版日期：2018-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：304-310