10.14188/j.1671-8836.2017.06.001
水热合成基于MoS2二维材料的MoS2/SnO2与MoS2/SnS2复合物
MoS2与其他半导体的异质结一般采用二次生长法,该方法比较费时,而且容易产生聚集,针对该问题,本文采用高压釜水热法一次制备出了MoS2/SnO2与MoS2/SnS2的复合物,利用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和紫外-可见-近红外分光光度计(UV-vis-NIR)对样品进行了表征.实验结果显示,复合结构中,MoS2为二维少层结构,制备过程中的NH4+对MoS2二维结构的成形有促进作用;通过调整钼源与锡源的比例,发现将SnCl4与(NH4)6Mo7O24中金属离子摩尔比调整为9∶1时,可以稳定得到MoS2/SnS2的二维材料.通过分析其生长机理可知,金属盐水解引起的溶液酸碱性变化及相互影响,对复合结构的成型起主要作用.
水热法、硫化钼、二维材料、复合物
63
O614(无机化学)
国家自然科学基金资助项目11374236,11674254
2018-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
471-475