S离子注入形成的缺陷对CdS纳米带的影响

摘要：

为了探究缺陷对CdS纳米带性能产生的影响,本文通过简单、易行的化学气相沉积法(CVD)在硅基底上制备了CdS纳米带,将不同剂量的S离子注入到CdS纳米带中,并利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、拉曼光谱(Raman)等分析样品的晶体结构,进一步通过光电性能的测试,研究S离子注入引入的缺陷对CdS纳米带性能产生的影响.结果表明,S离子注入引入的缺陷使CdS纳米带晶体质量发生变化,导致S离子注入后CdS纳米带的激子发光峰减弱,缺陷发光峰增强,并且它们之间的强度比随着注入剂量的改变可以进行调节.最后,通过对单根CdS纳米带场效应晶体管的转移特性曲线进行分析,证明了S离子注入引入的缺陷对CdS纳米带电学性能有较大影响,并进一步分析讨论了其对电学性能影响的机理.

关键词：CdS纳米带、离子注入、光致发光、场效应管

所属期刊栏目：63

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金11305056;湖北省自然科学基金2013CFB028;太阳能高效利用湖北省协同创新中心开放基金HBSKFM2014013

在线出版日期：2017-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：355-360